中科院物理研I所士生导师介l?杜小龙_跨考网
历：(x)P1966q?0月生Q现?a target="_blank">中国U学?/a>物理所研究员、博士生导师Q清z能源中心副MQQ?992q??a target="_blank">北京师范大学物理pL业，L(fng)士学位；1999q??a target="_blank">北京理工大学材料中心毕业获博士学位；1999q?月至2002q?月在日本国立千叶大学光电(sh)子技术研I中心从事博士后研究工作Q因独创性的氧化锌单晶薄膜制备工荣?001q度千叶大学NanohanaU研成果奖。主要研I课题ؓ(f)宽禁带半gZnO基、GaN基单晶薄膜的制备?qing)其光?sh)子器件的研制?/p>
主要研究方向Q?/p>
1、高质量ZnO外g生长的表?界面工程Q探索无极性SiQ?11Q、蓝宝石Q?001Q衬底上制备高质量单极性ZnO薄膜的优化工艺?/p>
2、ZnO p型掺杂的自补偿机理研IӞ开发具有高p型电(sh)导的p型掺杂工艺?/p>
3、ZnO单晶薄膜材料的能带工E，揭示在非q生长条g下三元、四元合金薄膜的l分、晶相、带隙之间的关系Q获得三元、四元单晶薄膜的带隙调节技术?/p>
4、ZnO极性表面的?sh)子、原子结构及(qing)其对金属/ZnO、导甉|化物薄膜/ZnO界面l构以及(qing)接触Ҏ(gu)的影响Q开发良好欧姆接触和E_肖特基接触的制备工艺?/p>
5、ZnO基量子点、量子阱l构的制备与物性研I?/p>
6、ZnO基外探器、发光二极管、量子点共振隧穿二极等光电(sh)子器件的研制?qing)物性研I?/p>
q去的主要工作及(qing)获得的成果：(x)ZnO是第三代半导体的核心基础材料Q因光怼的光电(sh)性能?qing)其在光电(sh)子器g中的巨大应用价D被誉ؓ(f)“二十一世纪半导体”；2002q回国后带领ZnO团队创徏了ZnO半导体实验室Q成功地利用{离子体辅助分子束外延技术开展了ZnO基光?sh)子材料与器件的研究工作。在ZnO外g膜的极性选择机理、极性表征以?qing)表面再构等斚w的研I获得一pdq展Q发展了多种独创的表?界面工程工艺Q在多种衬底上制备出极性可控的氧化锌单晶薄膜，特别是在无极性衬底硅与蓝宝石上制备得到高质量单极性薄膜。在p型掺杂这一关键问题的研I上Q首创“Li+Al+N”三元共掺法Q得C高浓度p型薄膜，q在氧化锌LED的研制中获得重大q展Q室温下观察C?sh)致发光现象Q研I了极性表面对金属/氧化锌接触特性的影响Q获得了良好的肖特基接触制备工艺Qƈ在高性能氧化锌外探器研制中获得进展，为ZnO最后走向应用以?qing)发展中国的ZnO光电(sh)子器件奠定了良好的基。最q三q来Q申h化锌相关专利14，其中国际专利二项Q发表ZnO相关SCI论文22（其中APL五篇Q，作国际、国内邀h?ơ。现为Appl. Phys. Lett.QSolid State CommunicationQChin. Phys. Lett.Q《物理学报》，《半g学报》等学术期刊审稿人?/p>
目前的研I课题及(qing)展望Q在氧化锌材料与器g物理研究上，作ؓ(f)目负责人目前承担国家自然科学基金重炚w目一V面上项目二，国家其他重点目一V重炚w目子N一，中科院重要方向性项目子N一V作为学术骨q参?73目一V另有两个国安目已利l题。ZnO目l的主要d是开发具有自ȝ识权的氧化锌基光电(sh)子核心技术体p，从而大力推动我国在该领域的自主创新研究以及(qing)相关光电(sh)子业的发展?/p>
培养研究生情况：(x)目前在读博q读?名。协助指导博士生8名（其中1名已毕业Q、博士后一名（已出站）。拟每年招收博q读??名?/p>
联系?sh)话Q?10-82649035
E-mailQxldu@aphy.iphy.ac.cn
传真Q?10-82649228
?中科院物理研I所
2022考研初复试已l接q尾壎ͼ考研学子全面q入2023届备?/b>Q跨考ؓ(f)23考研的考生准备?0大课包全E准备、全q复?fn)备考计划、目标院校专业辅对{全真复试模拟练?fn)和全程针对性指|2023考研的小伙伴针也已经开始择校和复习(fn)了，跨考考研畅学5.0版本全新升Q无Z在校在家都可以更自如的完成你的考研复习(fn)Q?/a>暑假集训?/span>带来了院校专业初步选择Q明方向；考研备考全q规划，核心知识点入门；个性化制定备考方案，助你赢在赯U，早出发一点离成功更q一点！
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